双极结型晶体管 首先，我们来理解其 基本概念 。双极结型晶体管是一种具有三层半导体、两个PN结的电流控制型半导体器件。它由三个区域（发射区、基区、集电区）和两个PN结（发射结、集电结）构成，并引出三个电极：发射极、基极和集电极。其主要功能是 电流放大 和 开关 。 接下来，我们深入其核心的 电流控制原理 。双极结型晶体管通过一个小的基极电流来控制一个大的集电极电流。其工作原理基于 载流子的注入与输运 。当发射结正向偏置、集电结反向偏置时，发射区的大量电子（以NPN型为例）注入基区。由于基区很薄且掺杂浓度低，绝大部分注入电子会扩散穿过基区，到达反向偏置的集电结，并被其强电场迅速扫入集电区，形成集电极电流。只有极少部分电子在基区与空穴复合，形成基极电流。因此，一个小的基极电流变化可以引起集电极电流的大幅变化，这就是 电流放大作用 。 现在，我们探讨其 工作模式 。根据两个PN结的偏置状态，双极结型晶体管主要有四种工作模式： 放大模式 ：发射结正偏，集电结反偏。这是其用于线性放大的标准工作模式，如上一步所述。 饱和模式 ：发射结和集电结均正偏。此时，集电极-发射极之间的电压降很小，相当于一个闭合的开关，流过很大的电流。 截止模式 ：发射结和集电结均反偏。此时，几乎没有电流流过，相当于一个断开的开关。 反向放大模式 ：发射结反偏，集电结正偏。此模式电流增益很低，通常不作为正常工作模式。 理解了基本模式后，我们需要掌握其关键的 特性与参数 ，以量化其性能： 电流增益 ：分为共基极电流放大系数（α， Ic与Ie之比）和共发射极电流放大系数（β或hFE， Ic与Ib之比）。β是设计放大电路时最常用的参数。 极限参数 ：包括集电极-发射极最大允许电压、集电极最大允许电流、最大允许耗散功率等，定义了器件的安全工作区。 频率特性 ：晶体管的放大能力会随信号频率升高而下降。描述其高频特性的关键参数是 特征频率 ，即电流增益下降到1时的频率。 最后，我们来看其 主要应用 。基于上述特性，双极结型晶体管在电子系统中扮演着关键角色： 模拟电路 ：是构建各类放大器（如音频放大器、射频放大器、运算放大器内部电路）的核心元件。 数字电路 ：早期在晶体管-晶体管逻辑门电路中作为高速开关使用。 功率控制 ：用于开关电源、电机驱动等场合，作为功率开关器件。 高频应用 ：某些特殊结构的高频晶体管用于射频前端和通信设备中。 双极结型晶体管与您已学过的金属氧化物半导体场效应晶体管同属晶体管家族，但工作原理有本质区别：前者是 电流控制 器件，依赖两种极性的载流子（电子和空穴）同时参与导电，故名“双极”；而MOSFET是 电压控制 器件，主要依赖一种载流子导电，属于“单极”型晶体管。