图像传感器行间转移
字数 1588 2025-12-09 19:27:15

图像传感器行间转移

为了理解这个概念,我们首先需要一个关于图像传感器如何工作的基础画面。

第一步:认识电荷转移的必要性
图像传感器的核心是将光线转换为电信号。每个像素内部都有一个“光电二极管”,它吸收光子后会产生电子-空穴对,从而积累电荷。电荷量与光照强度成正比。但光电二极管本身并不直接“读出”这个电荷信号。它需要先将积累的电荷转移到一个更安全、专门用于读出的区域,然后再进行测量。为什么?因为在读出过程中,如果电荷还暴露在光线下,会继续产生新的电荷,导致信号混淆和拖影。因此,几乎所有现代图像传感器都需要一个“电荷转移”的步骤。

第二步:理解最基本的转移结构——全帧转移(FFT)
为了引入“行间转移”,我们先看一个更简单的结构:全帧转移。想象一下,传感器芯片被分为两个完全相同的区域,上下堆叠。上半区是“感光区”,布满光电二极管,用于曝光收集电荷。下半区是“存储区”,被金属遮光,不感光。曝光结束后,所有像素收集的电荷被一次性、快速地垂直向下转移,整帧图像从感光区转移到遮光的存储区。然后,存储区内的电荷再被逐行读出。这个结构的优点是结构简单,像素开口率(感光面积占比)高。但缺点是需要一个机械快门来在电荷转移和读出期间遮挡光线,否则会产生严重拖影。

第三步:引入核心概念——行间转移(IT)
行间转移结构是为了解决全帧转移需要机械快门的问题而发明的。在这种结构里,每个感光像素(光电二极管)的旁边,都紧挨着一个垂直的、被金属遮光的“垂直移位寄存器”(也称为垂直CCD)。你可以想象传感器的布局:奇数行是感光像素,偶数行是遮光的垂直移位寄存器,两者交替排列,紧密相邻。
工作流程如下:

  1. 曝光:感光像素阵列收集电荷。
  2. 快速行间转移:曝光结束的瞬间,所有感光像素中的电荷,被并行地、一次性转移到相邻的遮光垂直移位寄存器中。这个转移过程极快(微秒级)。
  3. 逐行读出:转移到垂直移位寄存器后,感光像素阵列就可以立即开始下一次曝光,无需等待整帧读出完成!与此同时,垂直移位寄存器中的电荷被逐行向下移位,每次移一行到底部的“水平移位寄存器”中,再由水平移位寄存器逐个像素读出。因为垂直移位寄存器是遮光的,所以在向下移位和读出的过程中,电荷不会受到新曝光光线的影响。

第四步:剖析行间转移的优缺点

  • 优点
    • 无需机械快门:由于电荷从感光区到遮光区的转移极快,可以在电子控制下实现,因此可以使用电子快门,使相机结构更紧凑、可靠。
    • 抗拖影能力强:电荷被快速转移到遮光区,大大减少了在转移和读出期间因持续光照产生的非预期电荷(拖影)。
    • 可实现高速电子快门
  • 缺点
    • 开口率降低:因为每个像素旁边都要挤进一个垂直移位寄存器,感光区域(光电二极管)的面积被压缩,导致开口率下降,影响感光灵敏度和动态范围。
    • 结构更复杂:制造工艺比全帧转移更复杂。
    • 可能存在垂直拖影:在极高亮光源(如太阳)下,强光可能溢出光电二极管,泄漏到相邻的垂直移位寄存器中,形成一条垂直亮线(“开花”现象的一种)。

第五步:认识其演进——帧行间转移(FIT)
这是行间转移的增强版。它在感光像素阵列和垂直移位寄存器下方,又增加了一个完全遮光的“帧存储区”。工作流程变为:电荷先从感光像素并行转移到垂直移位寄存器,然后再被快速、并行地从垂直移位寄存器转移到下方的帧存储区。最后从帧存储区逐行读出。这样,垂直移位寄存器被迅速清空,可以更快地接收下一次曝光的电荷,进一步减少了在极端高光下的垂直拖影,特别适合专业广播摄像机。但结构也更为复杂,成本更高。

总结:行间转移是一种关键的图像传感器电荷转移架构,它通过在每个感光行之间插入遮光的垂直转移通道,实现了电荷从感光区到遮光区的快速并行转移,从而奠定了现代电子快门、低拖影CMOS/CCD传感器的基础,但其代价是牺牲了部分感光面积。

图像传感器行间转移 为了理解这个概念,我们首先需要一个关于图像传感器如何工作的基础画面。 第一步:认识电荷转移的必要性 图像传感器的核心是将光线转换为电信号。每个像素内部都有一个“光电二极管”,它吸收光子后会产生电子-空穴对,从而积累电荷。电荷量与光照强度成正比。但光电二极管本身并不直接“读出”这个电荷信号。它需要先将积累的电荷转移到一个更安全、专门用于读出的区域,然后再进行测量。为什么?因为在读出过程中,如果电荷还暴露在光线下,会继续产生新的电荷,导致信号混淆和拖影。因此,几乎所有现代图像传感器都需要一个“电荷转移”的步骤。 第二步:理解最基本的转移结构——全帧转移(FFT) 为了引入“行间转移”,我们先看一个更简单的结构:全帧转移。想象一下,传感器芯片被分为两个完全相同的区域,上下堆叠。上半区是“感光区”,布满光电二极管,用于曝光收集电荷。下半区是“存储区”,被金属遮光,不感光。曝光结束后,所有像素收集的电荷被一次性、快速地垂直向下转移,整帧图像从感光区转移到遮光的存储区。然后,存储区内的电荷再被逐行读出。这个结构的优点是结构简单,像素开口率(感光面积占比)高。但缺点是需要一个机械快门来在电荷转移和读出期间遮挡光线,否则会产生严重拖影。 第三步:引入核心概念——行间转移(IT) 行间转移结构是为了解决全帧转移需要机械快门的问题而发明的。在这种结构里, 每个感光像素(光电二极管)的旁边,都紧挨着一个垂直的、被金属遮光的“垂直移位寄存器”(也称为垂直CCD) 。你可以想象传感器的布局:奇数行是感光像素,偶数行是遮光的垂直移位寄存器,两者交替排列,紧密相邻。 工作流程如下: 曝光 :感光像素阵列收集电荷。 快速行间转移 :曝光结束的瞬间, 所有感光像素中的电荷,被并行地、一次性转移到相邻的遮光垂直移位寄存器中 。这个转移过程极快(微秒级)。 逐行读出 :转移到垂直移位寄存器后,感光像素阵列就可以立即开始下一次曝光,无需等待整帧读出完成!与此同时,垂直移位寄存器中的电荷被 逐行 向下移位,每次移一行到底部的“水平移位寄存器”中,再由水平移位寄存器逐个像素读出。因为垂直移位寄存器是遮光的,所以在向下移位和读出的过程中,电荷不会受到新曝光光线的影响。 第四步:剖析行间转移的优缺点 优点 : 无需机械快门 :由于电荷从感光区到遮光区的转移极快,可以在电子控制下实现,因此可以使用电子快门,使相机结构更紧凑、可靠。 抗拖影能力强 :电荷被快速转移到遮光区,大大减少了在转移和读出期间因持续光照产生的非预期电荷(拖影)。 可实现高速电子快门 。 缺点 : 开口率降低 :因为每个像素旁边都要挤进一个垂直移位寄存器,感光区域(光电二极管)的面积被压缩,导致开口率下降,影响感光灵敏度和动态范围。 结构更复杂 :制造工艺比全帧转移更复杂。 可能存在垂直拖影 :在极高亮光源(如太阳)下,强光可能溢出光电二极管,泄漏到相邻的垂直移位寄存器中,形成一条垂直亮线(“开花”现象的一种)。 第五步:认识其演进——帧行间转移(FIT) 这是行间转移的增强版。它在感光像素阵列和垂直移位寄存器下方,又增加了一个完全遮光的“帧存储区”。工作流程变为:电荷先从感光像素 并行 转移到垂直移位寄存器,然后再被 快速、并行 地从垂直移位寄存器转移到下方的帧存储区。最后从帧存储区逐行读出。这样,垂直移位寄存器被迅速清空,可以更快地接收下一次曝光的电荷,进一步减少了在极端高光下的垂直拖影,特别适合专业广播摄像机。但结构也更为复杂,成本更高。 总结:行间转移是一种关键的图像传感器电荷转移架构,它通过在 每个感光行之间插入遮光的垂直转移通道 ,实现了电荷从感光区到遮光区的 快速并行转移 ,从而奠定了现代电子快门、低拖影CMOS/CCD传感器的基础,但其代价是牺牲了部分感光面积。