P型半导体 半导体的基本概念 ：半导体是一种导电能力介于导体（如铜）和绝缘体（如陶瓷）之间的材料。其核心特性在于其导电性可以通过掺入特定的杂质原子来精确、大幅地改变。目前最核心的半导体材料是硅。 本征半导体与能带理论 ：完全纯净、结构完整的半导体（如纯硅单晶）称为本征半导体。在绝对零度时，其价带（电子被原子束缚的能级区域）充满电子，导带（电子可自由移动的能级区域）全空，中间被禁带隔开，因此不导电。当温度升高或获得能量（如光照）时，少量价带电子可以跃迁到导带，同时在价带留下一个带正电的“空位”，称为空穴。此时，导电依靠的是数量相等的自由电子和空穴。 掺杂与杂质半导体 ：为了大幅增加导电能力，会向本征半导体中人为掺入微量杂质原子。根据杂质类型的不同，会形成两种主要杂质半导体： N型半导体 ：掺入磷、砷等五价杂质原子。这些原子有五个价电子，与周围的四个硅原子形成共价键后，会多出一个极易脱离的“自由电子”。因此，N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。杂质原子因贡献出电子而带正电，称为施主。 P型半导体 ：这正是我们要讲的重点。掺入硼、镓等三价杂质原子。这些原子只有三个价电子，与周围的四个硅原子形成共价键时，会缺少一个电子，形成一个可被邻近电子填充的“空位”，即空穴。这个空穴相当于一个正电荷。因此，P型半导体中， 空穴是多数载流子 ，自由电子是少数载流子。杂质原子因接受一个电子而带负电，称为受主。 P型半导体的核心特性 ： 多数载流子 ：空穴。空穴的运动本质上是价电子依次填补相邻空位形成的正电荷移动，其导电方向与空穴移动方向相同。 少数载流子 ：由热激发产生的自由电子，数量远少于空穴。 电中性 ：整体上，P型半导体是电中性的。硅原子核的正电荷与所有电子（包括共价键电子和自由电子）的负电荷总量相等。受主杂质原子因接受一个电子而带负电，同时产生一个带正电的空穴，两者电荷也相互抵消。 能带结构 ：受主杂质在禁带中靠近价带顶的位置引入受主能级。价带中的电子很容易跃迁到受主能级上，从而在价带中产生大量空穴，显著降低了将电子从价带激发到导带的难度，从而大大增强了导电性。 P型半导体的应用 ：P型半导体极少单独使用，其核心价值在于与N型半导体结合。 PN结 ：将一块P型半导体和一块N型半导体紧密结合，在交界处会形成一个特殊的区域—— PN结 。这是所有半导体二极管、晶体管等有源器件的基础。PN结具有单向导电性（整流特性），是电路实现开关、放大、稳压等功能的核心结构。 互补金属氧化物半导体 ：在现代集成电路，尤其是CMOS（互补金属氧化物半导体）技术中，同时制作在硅片上的P沟道MOSFET和N沟道MOSFET需要分别使用P型衬底/N阱和N型衬底/P阱。通过精确控制P型和N型区域的分布，才能构成高性能、低功耗的逻辑门和存储单元。 其他器件 ：在太阳能电池、发光二极管、各种传感器中，P型区与N型区构成的结都是实现光电转换、电光转换或敏感功能的关键部分。 总结： P型半导体 是通过掺入三价杂质（受主）制成的、以 空穴 为多数载流子的半导体材料。它不仅是构成现代电子器件最基础的两种材料之一（与N型半导体相对），更是形成 PN结 这一电子学基石结构的必要组成部分，是整个微电子工业赖以存在的物理基础。