固态硬盘写入寿命 固态硬盘写入寿命主要由存储单元的可编程/擦除循环次数决定。每个NAND闪存单元在电荷捕获层存储数据时，会因电子隧穿氧化层造成不可逆损伤。随着编程/擦除次数增加，氧化层逐渐产生缺陷电荷，导致存储窗口收缩。这种物理退化表现为单元阈值电压分布展宽，最终造成数据读取错误。 影响写入寿命的关键因素包括电荷俘获密度和氧化层击穿概率。在编程操作中，高电场作用下电子会注入氧化层陷阱，部分电子在擦除时无法完全释放。随着陷阱密度累积，单元维持电荷的能力下降，需要更高编程电压才能实现相同存储状态。这种正反馈加速了氧化层介电强度的退化。 为延长寿命，控制器采用磨损均衡算法动态映射逻辑地址与物理块。通过跟踪块擦除计数，将写入操作分散到所有物理块。结合预留空间技术，利用额外容量缓冲写放大效应。垃圾回收机制在后台整合有效数据页，减少实际写入次数。这些策略可将磨损分布优化2-3个数量级。 纠错码技术通过BCH或LDPC编码补偿单元性能衰减。初期使用低强度纠错，随磨损增加逐步提升纠错能力。当原始误码率接近纠错阈值时，会触发提前退休机制。现代3D NAND还通过电荷陷阱型存储单元替代浮栅结构，减少电子注入深度，显著提升耐久性到3000-10000次循环。