表面等离激元共振能量转移
字数 1011 2025-11-24 06:37:15

表面等离激元共振能量转移

表面等离激元共振能量转移(SPRET)是当表面等离激元(SPP)与邻近的量子发射体(如荧光分子、量子点)发生相互作用时,能量从发射体转移到等离激元模式,或反之的过程。理解SPRET需要从以下几个步骤展开:

  1. 能量供体与受体的基本概念
    在能量转移体系中,存在一个能量供体(如激发态的荧光分子)和一个能量受体(如表面等离激元)。供体受光激发后,若其发射光谱与受体的吸收光谱重叠,且两者距离足够近(通常<20 nm),可能通过非辐射方式将能量转移至受体。这种转移不涉及光子发射,而是通过偶极-偶极耦合(如Förster共振能量转移,FRET)或近场相互作用实现。

  2. 表面等离激元的电磁场增强特性
    金属纳米结构(如金、银)在共振频率光照下,其表面自由电子集体振荡形成表面等离激元。这一振荡会在金属-介质界面附近产生高度局域化的增强电磁场,其强度随距离呈指数衰减(典型衰减长度约100-200 nm)。该近场是SPRET发生的物理基础:当量子发射体处于此场范围内,其激发或辐射速率会被显著调制。

  3. 能量转移的两种路径

    • 供体→等离激元路径:激发态发射体将能量转移至表面等离激元模式,导致发射体荧光猝灭。转移效率取决于发射体与等离激元模式的谱重叠程度、相对取向及距离。
    • 等离激元→受体路径:等离激元衰变时可将能量传递给邻近的受体分子,使其激发并发射荧光(称为等离激元增强荧光,PEF)。此路径需等离激元的辐射衰变通道占主导。
  4. 距离依赖性与竞争效应
    SPRET效率对发射体-金属表面的距离极其敏感。在极近距离(<5 nm),非辐射能量转移至等离激元占优,导致荧光猝灭;在中等距离(5–20 nm),等离激元的场增强可能同时提升激发速率和辐射速率,反而增强荧光。这两种效应的平衡由等离激元的辐射/非辐射衰变分支比决定。

  5. 理论模型:耦合偶极子近似
    定量描述SPRET需将发射体建模为振荡偶极子,与表面等离激元模式进行耦合。通过计算偶极子在金属结构附近的辐射功率修正(与自由空间相比),可推导出能量转移速率。该速率正比于局域态密度(LDOS)的变化,反映了等离激元对电磁模式的调控。

  6. 应用与检测手段
    SPRET被广泛应用于生物传感(如检测分子结合事件)、纳米尺度成像和光电器件设计。实验上可通过测量荧光寿命变化(等离激元耦合会缩短寿命)或荧光强度与距离的关系来验证SPRET,并结合电磁模拟计算转移效率。

表面等离激元共振能量转移 表面等离激元共振能量转移(SPRET)是当表面等离激元(SPP)与邻近的量子发射体(如荧光分子、量子点)发生相互作用时,能量从发射体转移到等离激元模式,或反之的过程。理解SPRET需要从以下几个步骤展开: 能量供体与受体的基本概念 在能量转移体系中,存在一个能量供体(如激发态的荧光分子)和一个能量受体(如表面等离激元)。供体受光激发后,若其发射光谱与受体的吸收光谱重叠,且两者距离足够近(通常 <20 nm),可能通过非辐射方式将能量转移至受体。这种转移不涉及光子发射,而是通过偶极-偶极耦合(如Förster共振能量转移,FRET)或近场相互作用实现。 表面等离激元的电磁场增强特性 金属纳米结构(如金、银)在共振频率光照下,其表面自由电子集体振荡形成表面等离激元。这一振荡会在金属-介质界面附近产生高度局域化的增强电磁场,其强度随距离呈指数衰减(典型衰减长度约100-200 nm)。该近场是SPRET发生的物理基础:当量子发射体处于此场范围内,其激发或辐射速率会被显著调制。 能量转移的两种路径 供体→等离激元路径 :激发态发射体将能量转移至表面等离激元模式,导致发射体荧光猝灭。转移效率取决于发射体与等离激元模式的谱重叠程度、相对取向及距离。 等离激元→受体路径 :等离激元衰变时可将能量传递给邻近的受体分子,使其激发并发射荧光(称为等离激元增强荧光,PEF)。此路径需等离激元的辐射衰变通道占主导。 距离依赖性与竞争效应 SPRET效率对发射体-金属表面的距离极其敏感。在极近距离( <5 nm),非辐射能量转移至等离激元占优,导致荧光猝灭;在中等距离(5–20 nm),等离激元的场增强可能同时提升激发速率和辐射速率,反而增强荧光。这两种效应的平衡由等离激元的辐射/非辐射衰变分支比决定。 理论模型:耦合偶极子近似 定量描述SPRET需将发射体建模为振荡偶极子,与表面等离激元模式进行耦合。通过计算偶极子在金属结构附近的辐射功率修正(与自由空间相比),可推导出能量转移速率。该速率正比于局域态密度(LDOS)的变化,反映了等离激元对电磁模式的调控。 应用与检测手段 SPRET被广泛应用于生物传感(如检测分子结合事件)、纳米尺度成像和光电器件设计。实验上可通过测量荧光寿命变化(等离激元耦合会缩短寿命)或荧光强度与距离的关系来验证SPRET,并结合电磁模拟计算转移效率。