固态硬盘数据保持能力 固态硬盘数据保持能力是指在断电状态下，存储在闪存单元中的电荷能够正确维持数据不丢失的最长时间。 固态硬盘使用浮栅晶体管存储数据，通过向浮栅注入或移除电子来代表0和1。即使在断电状态下，浮栅理论上能长期保持电荷，但实际会因绝缘层缺陷导致电荷缓慢泄漏。 影响数据保持能力的主要因素是环境温度。高温会加速电荷泄漏过程，每升高20°C，数据保持时间可能减少一半。因此厂商通常会在不同温度条件下测试和标注数据保持期限。 闪存类型对数据保持能力有显著影响。SLC闪存因电荷状态区分明显，通常具有最长的数据保持期；MLC和TLC因电荷状态区分更精细，对电荷流失更敏感；QLC则因电荷状态区分最精细，数据保持能力相对最低。 编程擦除周期次数会削弱数据保持能力。每次编程擦除都会对绝缘层造成轻微损伤，随着使用次数增加，电荷泄漏速度会加快。因此固态硬盘在接近使用寿命时，数据保持能力会明显下降。 为确保数据完整性，固态硬盘控制器会定期读取存储数据，检测电荷水平。当发现电荷接近临界值时，会自动进行数据刷新，将数据读取、校正后重新写入，这一过程称为数据巡检。